08月
09
Everspin宣布千兆级芯片ST-MARAM
Everspin宣布开始尝试打造1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片，另外他们已经将这款高寿命、非易失性的内存芯片生产提上议程。 Everspin的ST-MRAM能够提供持久的记忆能力，相较于普通的NAND闪存技术，它可以减少写入放大倍数并拥有更好的耐用性。原文链接
Everspin宣布开始尝试打造1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片，另外他们已经将这款高寿命、非易失性的内存芯片生产提上议程。 Everspin的ST-MRAM能够提供持久的记忆能力，相较于普通的NAND闪存技术，它可以减少写入放大倍数并拥有更好的耐用性。原文链接
