富芯半导体研发碳化硅衬底，寻求下一轮融资

一片六英寸导电型碳化硅衬底，要经过长周期高温长晶、定向切片、研磨和抛光，才能交到外延厂手上。碳化硅单晶主要采用物理气相传输法生长，原料在两千摄氏度以上的高温环境中升华并在籽晶表面重新结晶，一炉生长周期以天计；微管、位错或包裹体一旦超标，整根晶锭就可能报废。晶锭还需经过定向、切片、研磨和抛光，满足厚度、平整度、翘曲与表面粗糙度等指标，才能进入后续外延与器件制造。对下游做主驱逆变器、光伏储能变流器和充电桩模块的厂商来说，衬底的缺陷密度、尺寸一致性和交付稳定性，直接关系器件良率与成本；车规级供应商认证周期通常长达两到三年。这是碳化硅产业链里节奏最慢、固定资产投入最集中的一段。

2023年10月27日，在深圳市宝安区科技创新局主办的“科创宝安·创投荟”第七期半导体、精密制造专场上，富芯半导体（深圳）有限公司作为八家路演企业之一出现。宝安区科技创新局公开的活动信息显示，富芯半导体专注于研发、生产及销售6/8寸导电型碳化硅衬底片，生产制程从碳化硅晶体生长延伸到衬底片加工。据项目方提供的信息，富芯半导体目前正在进行下一轮融资；本轮融资的轮次、金额、估值及资金用途，公开材料中尚未见披露。

把工序拆开看，专利落在长晶炉里的三道具体问题

富芯半导体的产品定位停在衬底环节，公开材料未见其向器件设计或模组封装延伸的表述。宝安区科技创新局公开信息记载，富芯半导体自2022年8月开始试产，具备晶锭生长中小型生产规模条件，产品目前已具备量产标准。工商登记信息显示，承担相关业务的实体之一是其全资子公司富芯晶圆制造（深圳）有限公司，该主体于2022年4月20日由富芯半导体（深圳）有限公司出资设立，注册地位于深圳市宝安区航城街道后瑞第二工业区；肇庆市端州区人民政府公开简报在记载赴深拜访活动时，同样以该主体描述“主要研发、生产及销售导电型碳化硅衬底片，生产制程从碳化硅晶体生长到衬底片加工”。

国家知识产权局公开的专利申请信息，提供了比“技术平台”更具体的观察口径。2024年12月，富芯晶圆制造（深圳）有限公司集中申请了三项与碳化硅长晶直接相关的发明专利。“降低碳化硅晶体缺陷的制备方法”（公开号CN119776979A）在碳化硅原料上方依次装填纯度99%以上的导电碳化硅层与陶瓷层，坩埚盖上接籽晶，指向包裹体与位错缺陷控制；“用于籽晶粘接的结构和工艺方法”（公开号CN119800521A）在坩埚上盖、石墨层与籽晶之间设置胶黏层，并加入限位件、压块和缓冲层，针对籽晶热压粘接时的偏移与固化不均匀；“籽晶粘接胶水及其制备方法和应用”（公开号CN119736051A）以水性环氧树脂、无水乙醇等组分配比，把胶水以喷涂形式用于热压固化工艺，指向粘接效率、涂覆均匀性与晶体生长质量。天眼查公开口径显示，该主体的专利信息在不同时间点的统计为13条至15条，另有商标信息3条、行政许可2项，专利数量随时间增加。

三项申请都落在长晶炉内的温场、籽晶固定与缺陷控制，属于工艺细节层面的改进。需要说明的是，专利申请与量产良率属于两个不同口径，公开材料中没有查到富芯半导体或富芯晶圆制造的位错密度实测值、长晶良率、月产能、客户验证通过时间及出货量数据。2025年7月31日在深圳扬州·创新中心举办的第六期“深创扬帆”项目路演对接会上，项目方在路演材料中自述“产品位错密度等指标优于多数同行”，并提出通过8寸大尺寸化进一步降低单位成本；该表述属于项目方在融资对接场合的自我陈述，尚缺少第三方检测或下游客户验证材料的支撑。

需求在8英寸切换，压力在价格与认证周期

导电型碳化硅衬底的下游是外延片与功率器件，终端集中在新能源汽车800V高压平台、光伏组串式逆变器、储能PCS与大功率充电设施。弗若斯特沙利文统计的仅外销口径显示，2024年全球碳化硅衬底市场规模约88亿元人民币，其中导电型衬底约占75%、规模约66亿元；2025年导电型衬底规模增至约87亿元，并预测2030年全球碳化硅衬底市场将增至585亿元，2024至2030年复合增长率约37.1%。尺寸迭代是这条曲线上较确定的变量：公开行业资料显示，8英寸衬底较6英寸可将有效芯片数量提升约90%，单位芯片成本降低30%以上，能否实现8英寸高良率量产，被视为衬底厂商进入主流供应链的关键门槛。

政策与标准也在同一时间窗口推进。工信部、市场监管总局2025年8月发布的《电子信息制造业2025—2026年稳增长行动方案》提出推动碳化硅等宽禁带半导体器件产业发展；国家发展改革委2025年5月《关于促进大功率充电设施科学规划建设的通知》强调加快高压碳化硅模块国产化替代；2026年2月，国家标准委与工信部批准两项针对碳化硅MOSFET的推荐性国家标准计划项目。行业研究资料同时指出，当前市场呈现结构性分化，普通6英寸中低端晶片产能过剩，高品质车规级6英寸与8英寸产品供给相对紧缺。

同一组公开数据也记录了这轮周期的另一个侧面。6英寸导电型碳化硅衬底价格从2022年每片一万余元，到2025年一度跌破两千元；有公开统计显示，国内衬底企业2023至2025年营收总变化下降超过10%，产业链利润普遍承压。竞争格局方面，弗若斯特沙利文统计的2024年全球前五大碳化硅衬底制造商按外销收入合计占68%，Wolfspeed、天岳先进、天科合达、Coherent、SK Siltron分别占23.5%、16.7%、11.3%、10.4%与6.1%；日本富士经济2026年3月报告显示，2025年全球导电型碳化硅衬底市场中中国厂商合计份额已超过40%。富芯半导体未出现在上述公开份额名单中，宝安区科技创新局对其生产规模的表述是“中小型”。

商业模式上，公开材料指向的是衬底片研发、生产与销售，制程覆盖长晶到加工，目标市场为新能源汽车与光伏等高端应用所对应的外延与器件环节。行业通行做法是衬底厂与外延厂、器件模块厂及下游车企做联合定制开发，并经历设备调试、工艺优化与客户认证。截至目前，公开渠道未见富芯半导体的客户名单、订单金额、营收、送样验证结果或产能利用率数据，也未见其披露与头部器件厂商的供应关系。对一个处在试产向量产过渡阶段的项目而言，这类数据的披露节奏，比市场规模本身更能说明其所处位置。

团队、股权变动与可追踪的落地节点

团队信息目前主要来自政府主办的路演活动公开材料。宝安区科技创新局公开信息记载，富芯半导体核心技术团队有中国台湾地区科研机构物理研究背景，执行长陈远帆博士曾在该机构从事博士后研究，拥有25年晶体生长研究及工作经验。扬州市人民政府公开的“深创扬帆”路演材料则把富芯晶圆制造的核心技术团队描述为由欧盟碳化硅材料实验室专家、中国台湾地区及内地成熟团队组成，路径是通过优化晶体生长工艺、提升材料利用率降低生产成本。两处表述对团队来源的归纳略有差异，但都把能力指向晶体生长这一具体环节。

工商登记信息提供了治理结构的时间线。富芯半导体（深圳）有限公司成立于2022年1月13日，注册资本1000万元、实缴595万元，注册地址位于深圳市福田区天安创新科技广场二期，经营状态为在营。2026年4月22日，公司完成负责人、高级管理人员与投资人变更：法定代表人由罗春秀变更为张祥新，张祥新同时备案为董事、经理；股东中“亿生福国际投控（深圳）有限公司”变更为“亿世源半导体（深圳）有限公司”，其余股东为亿生源技术管理（深圳）合伙企业（有限合伙）、鹏芯源半导体（深圳）有限公司与深圳市彤富鑫科技有限公司。同一套工商公开信息还显示，母体企业员工人数为2人，2025年企业规模划型为微型；公开材料未说明该口径与“晶锭生长中小型生产规模条件”之间的统计范围差异，生产环节主要由全资子公司承担。

区域与合作层面的公开节点可以连成一条线。肇庆市端州区人民政府招商简报记载，2025年12月10日区委书记率队赴深圳拜访富芯半导体（深圳）有限公司，了解企业发展历程、技术优势与市场布局；在当地的政企交流活动中，富芯半导体（深圳）有限公司董事陈淑玲曾就端州高新技术产业布局与企业服务公开发言。2026年5月27日，富芯半导体（深圳）有限公司全资设立富芯半导体（江西）有限公司，注册资本500万元，落地江西省吉安市吉安县凤凰园区创新创业园，经营范围包含电子专用材料研发制造、半导体器件专用设备制造销售等。融资侧，除2023年10月创投荟路演（八家企业共发布融资需求4.3亿元，深圳创新投、深圳高新投等30家机构参与，深交所科融通V-Next平台线上展示）与2025年7月“深创扬帆”路演对接（彭年创投、力合金融等机构参与）之外，公开渠道未见历史机构融资轮次、投资方与本轮财务顾问的披露。

把这些节点放在一起，富芯半导体目前能被引用的事实集中在产品定义、试产时间、专利布局、团队来源、股权与区域布局，以及两次公开融资对接；尚待披露的是良率、产能、客户验证、营收与本轮融资条款。对关注碳化硅衬底赛道的机构而言，后续值得持续核对的是8英寸产品的客户验证进展、江西基地的产线落地节奏、量产良率与出货数据的首次公开，以及本轮融资是否完成交割。这些节点是否出现、以何种口径出现，将比任何对赛道的判断更直接地说明项目走到了哪一步。